Структура кремниевой пластины

Структура кремниевой пластины

Наши полупроводниковые кремниевые структуры-класса спроектированы на атомном уровне, чтобы облегчить строго контролируемое производство на всех этапах производства.От 50 мм до 300 мм (2–12 дюймов)Спектр диаметров. Используя передовыеЧохральского (Чехия) и Зона плавания (ФЗ)Используя метод вытягивания кристаллов, мы обеспечиваем первозданную,-свободную от дефектов решетку, которая служит высоко-основной основой для эпитаксиального роста и ионной имплантации высоких-доз.

Основные дифференцированные преимущества:

Однородность уровня-решетки:В отличие от материалов гибридного-класса, наши пластины обладают ультра-однородными внутренними свойствами-со специальным контролем содержания межузельного кислорода и углерода. Это предотвращает термическое осаждение во время летучего отжига в высоком-вакууме, обеспечивая предсказуемые электрические профили дляСиловые ИС (IGBT/MOSFET) и радиочастотные модули.

Термомеханическая устойчивость:Оптимизированная структурная целостность гарантирует, что каждая пластина будет вести себя одинаково во время экстремальных циклов обработки, от высокотемпературной-диффузии до механического обратного-шлифования. Эта стабильность имеет решающее значение для поддержанияСуммарное изменение толщины (TTV) суб-микронови предотвращение поломки пластин на автоматизированных литейных линиях диаметром 300 мм.

Точность, основанная на доходе-:Каждая подложка разработана таким образом, чтобы соответствовать и даже превосходить строгие промышленные требования к плоскостности-специфической для конкретной площадки (SFQR). Такая точность обеспечивает расширенную глубину--фокусировки (ГРИП) в современной фотолитографии, что напрямую коррелирует со значительным уменьшением дрейфа процесса и повышением надежности конечного устройства.

горячая этикетка : структура кремниевой пластины, Китай производители кремниевой пластины структуры, поставщики, завод