Глубокий-слиток кристального кремния

Глубокий-слиток кристального кремния

Deep-Crystal Silicon Ingot предназначен для крупных-производителей, стремящихся использовать пластины большего формата и минимальные потери производительности,-связанные с краями. Признавая, что «эффективная площадь» пластины определяется однородностью исходного слитка, эти материалы выращиваются с использованием запатентованной технологии.Тепловое-расширение поляпротокол. Такая более глубокая кристаллическая целостность уменьшает-изменчивость пластин от ядра до самого края колонны слитков, поддерживая агрессивные стратегии утончения (вплоть до85–90 μm) без ущерба для механической прочности и образования микро-трещин. В результате получается подложка, которая предсказуемо ведет себя в условиях -алмазной-проволочной распиловки и автоматизированной клеточной-обработки. Чтобы обеспечить немедленную готовность процесса, варианты доставки включают услуги по обрезке-по-размерам и отчеты о предварительной-инспекции, отражающие плотность внутренних дефектов с помощью сканирующей инфракрасной микроскопии (SIRM), что обеспечивает интеграцию «с первой-время-правильной» в производственные линии уровня 1.

Проектирование расширенной зоны затвердевания:В нашей технологии Deep-Crystal используется активная тепловая-защита и оптимизированное расположение тигля для выравнивания границы раздела твердого тела-жидкости. Расширяя зону стабильной кристаллизации, мы минимизируем радиальное распределение вакансий и междоузлий, что является основным фактором достижения однородного удельного сопротивления в слитках большого-диаметра ($210$ мм+).

Устойчивость к агрессивным стратегиям истончения:Эти слитки, специально оптимизированные для целей-сбережения материалов к 2026 году, обладают исключительно высоким профилем вязкости разрушения. Эта структурная «прочность» позволяет нарезать ультра-тонкие ломтики с минимальными потерями реза, гарантируя, что даже при толщине ниже90 μmпластины сохраняют механическую жесткость, необходимую для высокоскоростной-обработки в вакууме.

Минимизация потерь-производительности, связанных с этим:Строго регулируя скорость охлаждения снаружи слитка, мы устраняем «кислородное-кольцо» и скопления металлических выделений, которые обычно разрушают периметр больших пластин. Это гарантирует, что эффективность элемента будет одинаковой по всей площади поверхности, максимизируя выходную мощность конечного модуля G12.

горячая этикетка : глубокий-слиток кристаллического кремния, Китай, производители, поставщики, завод глубоких-слитков кристаллического кремния